SIMM - SIMM

Ten artykuł dotyczy typu modułu pamięci do komputerów. W przypadku innych zastosowań zobacz SIMM (ujednoznacznienie) .
30-stykowe, zastrzeżone 68-stykowe i 72-stykowe moduły SIMM firmy Apple

SIMM ( pojedynczy moduł pamięci in-line ) jest typu zawierającego moduł pamięci, pamięć o dostępie swobodnym używane w komputerach od 1980 do 2000 na początku. Różni się od dwurzędowego modułu pamięci (DIMM), najpopularniejszej formy modułu pamięci od późnych lat 90., tym, że styki na karcie SIMM są nadmiarowe po obu stronach modułu. Moduły SIMM zostały znormalizowane zgodnie ze standardem JEDEC JESD-21C.

Większość wczesnych płyt głównych do komputerów PC ( komputery z procesorami 8088 , XT i wczesne AT ) używały chipów DIP z gniazdami dla pamięci DRAM . Wraz ze wzrostem pojemności pamięci komputera zastosowano moduły pamięci, aby zaoszczędzić miejsce na płycie głównej i ułatwić rozbudowę pamięci. Zamiast podłączać osiem lub dziewięć pojedynczych chipów DIP, potrzebny był tylko jeden dodatkowy moduł pamięci, aby zwiększyć pamięć komputera.

Historia

Moduły SIMM zostały wynalezione w 1982 roku przez Jamesa J. Parkera w Zenith Microcircuits, a pierwszym klientem Zenith Microcircuits była firma Wang Laboratories . Wang Laboratories próbowało go opatentować i otrzymało patent w kwietniu 1987 roku. Patent ten został później unieważniony, gdy Wang Laboratories pozwało wiele firm o naruszenie, a następnie opublikowano, że były one wcześniejszym wynalazkiem Parkera w Zenith Microcircuits (Elk Grove Village, filia Zenith Electronics Corporation w stanie Illinois). Pozew został następnie wycofany i patent został unieważniony. Oryginalne moduły pamięci powstały na podłożach ceramicznych 64K Hitachi części „flip chip” i miał kołki, to znaczy pojedyncze opakowanie w linii (SIP) opakowania . Była część 8-bitowa i 9-bitowa, obie w 64K. Piny były najbardziej kosztowną częścią procesu montażu, a Zenith Microcircuits, w połączeniu z Wang i Amp, wkrótce opracował łatwe w montażu, bezpinowe złącze. Później moduły były budowane na podłożach ceramicznych z plastikowymi chipami Fujitsu J-lead, a jeszcze później na standardowym materiale PCB. Moduły SIMM wykorzystujące piny są zwykle nazywane modułami pamięci SIP lub SIPP , aby odróżnić je od bardziej popularnych modułów wykorzystujących złącza krawędziowe.

Pierwszy wariant modułów SIMM ma 30 pinów i zapewnia 8 bitów danych (plus dziewiąty bit wykrywania błędów w modułach SIMM z parzystością ). Były one używane w mikrokomputerach kompatybilnych z AT ( 286 , np. Wang APC ), 386 , 486 , Macintosh Plus , Macintosh II , Quadra , Atari STE , minikomputerach Wang VS oraz samplerach elektronicznych Roland .

Drugi wariant modułów SIMM ma 72 piny i zapewnia 32 bity danych (36 bitów w wersjach z parzystością i ECC ). Pojawiły się one najpierw na początku lat 90. w późniejszych modelach IBM PS/2 , a później w systemach opartych na 486 , Pentium , Pentium Pro , wczesnym Pentium II i współczesnych/konkurencyjnych chipach innych marek. W połowie lat 90. 72-pinowe moduły SIMM zastąpiły 30-stykowe moduły SIMM w nowo budowanych komputerach i zaczęły same być zastępowane przez moduły DIMM .

Komputery PC firm innych niż IBM, takie jak stacje robocze z systemem UNIX, mogą używać własnych, niestandardowych modułów SIMM. Macintosh IIfx używa zastrzeżonych niestandardowych SIMM z 64 pinami.

Technologie DRAM stosowane w modułach SIMM obejmują FPM (pamięć Fast Page Mode, używana we wszystkich 30-pinowych i wczesnych 72-pinowych modułach) oraz bardziej wydajną pamięć EDO DRAM (używaną w późniejszych modułach 72-pinowych).

Ze względu na różne szerokości szyn danych modułów pamięci i niektórych procesorów, czasami kilka modułów musi być zainstalowanych w identycznych parach lub w identycznych grupach po cztery, aby wypełnić bank pamięci. Zasadą jest 286 , 386SX , 68000 lub low-end 68020 / +68.030 (np Atari Falcon, Mac LC) System (za pomocą 16-bitową szynę danych) wymagałoby dwa 30-pinowe SIMM dla banku pamięci. W systemach 386DX , 486 i pełnej specyfikacji 68020 do 68060 (np. Atari TT, Amiga 4000, Mac II) (32-bitowa magistrala danych) dla jednego banku pamięci wymagane są albo cztery 30-pinowe moduły SIMM, albo jeden 72-pinowy SIMM. W systemach Pentium (szyna danych o szerokości 64 bitów) wymagane są dwie 72-pinowe moduły SIMM. Jednak niektóre systemy Pentium obsługują „tryb półbankowy”, w którym magistrala danych byłaby skrócona do zaledwie 32 bitów, aby umożliwić działanie pojedynczego modułu SIMM. Z drugiej strony, niektóre systemy 386 i 486 używają tak zwanego „przeplatania pamięci”, co wymaga dwukrotnie większej liczby modułów SIMM i skutecznie podwaja przepustowość.

Najwcześniejsze gniazda SIMM były konwencjonalnymi gniazdami typu push. Zostały one wkrótce zastąpione przez gniazda ZIF, w których SIMM był wkładany pod kątem, a następnie przechylany do pozycji pionowej. Aby usunąć jeden, dwa metalowe lub plastikowe klipsy na każdym końcu należy odciągnąć na bok, a następnie przechylić moduł SIMM do tyłu i wyciągnąć (gniazdo niskoprofilowe odwróciło nieco tę konwencję, podobnie jak moduły SODIMM - moduły są wkładane na " pod wysokim kątem, a następnie wciśnięty w dół, aby zrównać się z płytą główną). Wcześniejsze gniazda wykorzystywały plastikowe klipsy ustalające, które okazały się pękać, więc zastąpiły je stalowe klipsy.

Niektóre moduły SIMM obsługują wykrywanie obecności (PD). Do niektórych pinów, które kodują pojemność i prędkość modułu SIMM, nawiązywane są połączenia, dzięki czemu kompatybilny sprzęt może wykrywać właściwości modułu SIMM. Moduły PD SIMM mogą być używane w urządzeniach, które nie obsługują PD; informacja jest ignorowana. Standardowe moduły SIMM można łatwo przekonwertować do obsługi wyładowań niezupełnych, dopasowując zworki, jeśli moduły SIMM mają do tego pola lutownicze, lub przylutowując przewody.

30-pinowe moduły SIMM

30-pinowa karta SIMM, pojemność 256 KB
Dwa 30-pinowe gniazda SIMM na płycie głównej IBM PS/2 model 50

Standardowe rozmiary: 256 KB, 1 MB, 4 MB, 16 MB

30-pinowe SIMMS-y mają 12 linii adresowych, które mogą zapewnić łącznie 24 bity adresu. Przy szerokości danych 8 bitów prowadzi to do absolutnej maksymalnej pojemności 16 MB zarówno dla modułów z parzystością, jak i bez parzystości (dodatkowy układ bitów redundancji zwykle nie przyczynia się do użytecznej pojemności).

30-pinowy moduł pamięci SIMM
Pin # Nazwa Opis sygnału Pin # Nazwa Opis sygnału
1 V CC +5 V DC 16 DQ4 Dane 4
2 /CAS Stroboskop adresu kolumny 17 A8 Adres 8
3 DQ0 Dane 0 18 A9 Adres 9
4 A0 Adres 0 19 A10 Adres 10
5 A1 Adres 1 20 DQ5 Dane 5
6 DQ1 Dane 1 21 /MY Zapisz Włącz
7 A2 adres 2 22 V SS Ziemia
8 A3 Adres 3 23 DQ6 Dane 6
9 V SS Ziemia 24 A11 Adres 11
10 DQ2 Dane 2 25 DQ7 Dane 7
11 A4 Adres 4 26 QP * Wyłączenie parzystości danych
12 A5 Adres 5 27 /RAZ Stroboskop adresu wiersza
13 DQ3 Dane 3 28 /CASP * Stroboskop adresu kolumny parzystości
14 A6 Adres 6 29 DP * Parzystość danych w
15 A7 Adres 7 30 V CC +5 V DC

* Piny 26, 28 i 29 nie są połączone w modułach SIMM bez kontroli parzystości.

72-pinowe moduły SIMM

72-pinowa karta SIM EDO DRAM

Standardowe rozmiary: 1 MB, 2 MB, 4 MB, 8 MB, 16 MB, 32 MB, 64 MB, 128 MB (standard określa również moduły 3,3 V z dodatkowymi liniami adresowymi i do 2 GB)

Dzięki 12 liniom adresowym, które mogą zapewnić łącznie 24 bity adresu, dwóm szeregom chipów i 32-bitowemu wyjściu danych, absolutna maksymalna pojemność wynosi 2 27 = 128 MB.

5 V 72-pinowy moduł pamięci SIMM
Pin # Nazwa Opis sygnału Pin # Nazwa Opis sygnału
1 V SS Ziemia 37 MDP1 * Parzystość danych 1 (MD8..15)
2 MD0 Dane 0 38 MDP3 * Parzystość danych 3 (MD24..31)
3 MD16 Dane 16 39 V SS Ziemia
4 MD1 Dane 1 40 /CAS0 Stroboskop adresu kolumny 0
5 MD17 Dane 17 41 /CAS2 Stroboskop adresowy kolumny 2
6 MD2 Dane 2 42 /CAS3 Stroboskop adresowy kolumny 3
7 MD18 Dane 18 43 /CAS1 Stroboskop adresu kolumny 1
8 MD3 Dane 3 44 /RAS0 Stroboskop adresu wiersza 0
9 MD19 Dane 19 45 /RAS1 † Stroboskop adresu rzędu 1
10 V CC +5 V DC 46 NC Nie połączony
11 NU [PD5 # ] Nieużywane [Wykrywanie obecności 5 (3v3)] 47 /MY Włącz odczyt/zapis
12 MA0 Adres 0 48 NC [/ nr ECC ] Brak połączenia [obecność ECC (jeśli uziemiony) (3v3)]
13 MA1 Adres 1 49 MD8 Dane 8
14 MA2 adres 2 50 MD24 Dane 24
15 MA3 Adres 3 51 MD9 Dane 9
16 MA4 Adres 4 52 MD25 Dane 25
17 MA5 Adres 5 53 MD10 Dane 10
18 MA6 Adres 6 54 MD26 Dane 26
19 MA10 Adres 10 55 MD11 Dane 11
20 MD4 Dane 4 56 MD27 Dane 27
21 MD20 Dane 20 57 MD12 Dane 12
22 MD5 Dane 5 58 MD28 Dane 28
23 MD21 Dane 21 59 V CC +5 V DC
24 MD6 Dane 6 60 MD29 Dane 29
25 MD22 Dane 22 61 MD13 Dane 13
26 MD7 Dane 7 62 MD30 Dane 30
27 MD23 Dane 23 63 MD14 Dane 14
28 MA7 Adres 7 64 MD31 Dane 31
29 MA11 Adres 11 65 MD15 Dane 15
30 V CC +5 V DC 66 NC [/EDO nr ] Brak połączenia [obecność EDO (jeśli uziemiony) (3v3)]
31 MA8 Adres 8 67 PD1 x Wykrywanie obecności 1
32 MA9 Adres 9 68 PD2 x Wykrywanie obecności 2
33 /RAS3 † Stroboskop adresu rzędu 3 69 PD3 x Wykrywanie obecności 3
34 /RAS2 Stroboskop adresu rzędu 2 70 PD4 x Wykrywanie obecności 4
35 MDP2 * Parzystość danych 2 (MD16..23) 71 NC [PD (ref) # ] Brak połączenia [Wykrywanie obecności (ref) (3v3)]
36 MDP0 * Parzystość danych 0 (MD0..7) 72 V SS Ziemia

* Styki 35, 36, 37 i 38 nie są połączone w modułach SIMM bez kontroli parzystości.

† /RAS1 i /RAS3 są używane tylko w dwurzędowych SIMMS: 2, 8, 32 i 128 MB.

# Te linie są zdefiniowane tylko w modułach 3.3V.

x Sygnały wykrywania obecności są szczegółowo opisane w standardzie JEDEC.

Zastrzeżone SIMM

64-stykowe GVP

Kilka kart procesorowych firmy Great Valley Products dla Commodore Amiga używało specjalnych 64-pinowych modułów SIMM (szerokość 32 bity, 1, 4 lub 16 MB, 60 ns).

Apple 64-pinowe

64-pinowe moduły SIMM z podwójnym portem były używane w komputerach Apple Macintosh IIfx, aby umożliwić nakładanie się cykli odczytu/zapisu (1, 4, 8, 16 MB, 80 ns).

5V 64-pinowy moduł pamięci Mac IIfx SIMM
Pin # Nazwa Opis sygnału Pin # Nazwa Opis sygnału
1 GND Ziemia 33 Q4 Magistrala wyjściowa danych, bit 4
2 NC Nie połączony 34 /W4 Wejście umożliwiające zapis dla pamięci RAM IC 4
3 +5V +5 woltów 35 A8 Szyna adresowa, bit 8
4 +5V +5 woltów 36 NC Nie połączony
5 /CAS Stroboskop adresu kolumny 37 A9 Szyna adresowa, bit 9
6 D0 Magistrala wprowadzania danych, bit 0 38 A10 Szyna adresowa, bit 10
7 Q0 Magistrala wyjściowa danych, bit 0 39 A11 Szyna adresowa, bit 11
8 /W0 Wejście umożliwiające zapis dla pamięci RAM IC 0 40 D5 Magistrala wprowadzania danych, bit 5
9 A0 Szyna adresowa, bit 0 41 Q5 Magistrala wyjściowa danych, bit 5
10 NC Nie połączony 42 /W5 Wejście umożliwiające zapis dla pamięci RAM IC 5
11 A1 Szyna adresowa, bit 1 43 NC Nie połączony
12 D1 Magistrala wprowadzania danych, bit 1 44 NC Nie połączony
13 Q1 Magistrala wyjściowa danych, bit 1 45 GND Ziemia
14 /W1 Wejście umożliwiające zapis dla pamięci RAM IC 1 46 D6 Magistrala wprowadzania danych, bit 6
15 A2 Szyna adresowa, bit 2 47 Q6 Magistrala wyjściowa danych, bit 6
16 NC Nie połączony 48 /W6 Wejście umożliwiające zapis dla pamięci RAM IC 6
17 A3 Szyna adresowa, bit 3 49 NC Nie połączony
18 GND Ziemia 50 D7 Magistrala wprowadzania danych, bit 7
19 GND Ziemia 51 Q7 Magistrala wyjściowa danych, bit 7
20 D2 Magistrala wprowadzania danych, bit 2 52 /W7 Wejście umożliwiające zapis dla pamięci RAM IC 7
21 Q2 Magistrala wyjściowa danych, bit 2 53 /QB Zarezerwowane (parzystość)
22 /W2 Wejście umożliwiające zapis dla pamięci RAM IC 2 54 NC Nie połączony
23 A4 Szyna adresowa, bit 4 55 /RAZ Stroboskop adresu wiersza
24 NC Nie połączony 56 NC Nie połączony
25 A5 Szyna adresowa, bit 5 57 NC Nie połączony
26 D3 Magistrala wprowadzania danych, bit 3 58 Q Wyjście kontroli parzystości
27 Q3 Magistrala wyjściowa danych, bit 3 59 /WWP Napisz złą parzystość
28 /W3 Wejście umożliwiające zapis dla pamięci RAM IC 3 60 PDCI Wejście parzystości w łańcuchu
29 A6 Szyna adresowa, bit 6 61 +5V +5 woltów
30 NC Nie połączony 62 +5V +5 woltów
31 A7 Szyna adresowa, bit 7 63 PDCO Parzystość wyjścia łańcuchowego
32 D4 Magistrala wprowadzania danych, bit 4 64 GND Ziemia

HP LaserJet

72-pinowe moduły SIMM z niestandardowymi połączeniami wykrywania obecności (PD).

Zobacz też

Bibliografia

  1. ^ Patent USA 4,656,605 - Pojedynczy wbudowany moduł pamięci
  2. ^ Clayton, James E. (1983). Niedrogie opakowanie pamięci o dużej gęstości: moduł SIP 64K X 9 DRAM , The International Journal for hybrydowa mikroelektronika .
  3. ^ Wang gra silną rękę kompatybilną z komputerem PC , PC Magazine , 1 października 1985
  4. ^ Wykonywanie pracy standardowych modułów SIMM – Ulepszenie pamięci w HP LaserJet 6MP/5MP Artykuł o dopasowaniu zworek w celu dodania funkcji Presence Detect do standardowych modułów SIMM
  5. ^ JEDEC Standard nr 21-C, Sekcja 4.4.2 "72-pinowa rodzina modułów SIMM DRAM"
  6. ^ Macintosh IIfx
  7. ^ Komputer Apple, Inc. (1990). Przewodnik po sprzęcie rodziny Macintosh (wyd. 2). Addison-Wesley, Inc. 230.
  8. ^ Komputer Apple, Inc. (1990). Przewodnik po sprzęcie rodziny Macintosh (wyd. 2). Addison-Wesley, Inc. s. 214-222.

Linki zewnętrzne